SOI衬底有四种常见的方法，分别为：SIMOX法，Smart cut，ELTRAN法，BESOI法。本次我们就详细介绍下Smart cut法。
如上图：
1，硅片准备：在硅片上沉积一层氧化层，形成氧化硅层。这层氧化层最终形成SOI结构中的绝缘层。
2，氢离子注入：向硅片中注入氢离子。这些氢离子形成一个埋层，这个层最终会在后续步骤中成为分离层。注入的深度决定了SOI层的厚度。
3，晶圆键合：将处理过的硅片与另一个硅片（Handle Wafer）进行键合。键合过程中会施加一定的压力和温度，以确保两片硅片紧密结合。
4，分离：在高温退火过程中，氢离子形成的气泡会扩展并形成裂缝，使得硅片沿着注入氢离子的层分离。这一步骤在Handle Wafer上产生了一个薄的硅层。而裂解下来的硅片，可以再次用于工艺过程。
5，cmp抛光：对分离后留下的薄硅层进行cmp抛光，得到高质量的表面平整度和所需的厚度。经过这一步，SOI晶圆就已经基本完成，可以用于各种高性能电子器件的制造。
6，退火：通过高温退火处理，使得氧化层上的硅层和氧化层更加稳定，同时能够进一步提升键合质量。
