多晶（polycrystal），指的是某物质由许多小的晶粒（单晶）组成，每个晶粒都有自己独特的晶体取向。这些晶粒在宏观尺度上是随机取向的，但是每一个晶粒内部的取向是一致的。
因此单晶硅里只有一个晶向，一般是<100>,<110>,<111>这三种晶向。不同的晶向对于半导体制造过程中的刻蚀、氧化和离子注入等工艺有着不同的影响，所以选择适当的晶向对于优化芯片性能是至关重要的。
而多晶硅（poly-Si）就是多个单晶组成的硅材料。这些晶粒彼此之间有明显的晶界，所以在晶界处存在着方向的不连续性。
单晶硅与多晶硅的性质对比
电学性能：多晶硅与单晶硅相比，其电学性能略有劣势，主要是因为多晶硅晶界处会形成载流子的散射中心。而单晶硅由于无晶界和结构的连续性，具有更高的电子迁移率。
外观：单晶硅在抛光后像一面镜子，这是因为当光照射在单晶硅上时，它会以相同的方式和方向反射。而当光照射在多晶硅上时，由于每个晶粒对于光的反射会有所不同，导致其外观呈现出颗粒状。
单/多晶硅在芯片中的应用？
单晶硅
1，单晶硅片，作衬底
2，某些芯片产品需要单晶硅薄层
多晶硅
1，在MOSFET中，多晶硅常用作栅极材料。与氧化硅绝缘层相结合，多晶硅是晶体管控制电流流动的关键部件。
2，可以用在太阳能电池，液晶显示器中。
3，作为牺牲层。在MEMS制造过程中，牺牲层用于创建一个暂时的结构，稍后会将其去除，释放形成永久结构。
单晶硅与多晶硅如何制作？
如果做基板来用，
单晶硅一般采用CZ法或FZ法。
而多晶硅则采用Block Casting，FBR，Siemens法。
如果是在芯片中成膜，
则单晶硅需要用CVD外延，分子束外延等。而多晶硅则可以用CVD，PVD等。
