因此相对介电常数较低的材料就是低k材料，其介电常数通常小于 4.0；相对介电常数较高的材料就是高k材料，其介电常数明显大于 4.0，有时甚至接近或超过 20。
氧化硅
用途：作为电气隔离层，掩模层，以及在CMOS工艺中的栅氧化层等。
特点：良好的电气绝缘性，热稳定性和化学稳定性。
氮化硅
用途：通常用作扩散和离子注入的掩模材料，也用于电气隔离和表面保护。
特点：耐蚀性强，能阻挡扩散和注入过程中的杂质
氧化铝
氧化铝是另一种具有潜在用途的栅极绝缘体材料，特别是对于玻璃和柔性基板上的薄膜晶体管 (TFT)，具有相对较低的漏电流和良好的热/电稳定性。Al 2 O 3还用于非易失性存储器应用，例如3D-NAND。
低介电常数 (Low-k) 材料
主要用于半导体制程中的互连介质层。低k材料可以有效地降低寄生电容，从而提高信号传输速度并减少功耗。
包括有机硅，氟化硅，聚酰亚胺等。
有机硅介电常数：2.65
氟化硅：2.5-3.5
聚酰亚胺：2.9
高介电常数（High-k）材料
主要用于金属栅氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的栅介质。传统的SiO2栅介质如果过于薄，导致门泄漏电流增加。高k材料可以在较厚的情况下提供与薄的SiO2相当的电场效应，从而减少门泄漏。
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高k材料 |
介电常数 |
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氧化铪HfO2 |
25 |
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氧化钛TiO2 |
30-80 |
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氧化锆ZrO2 |
25 |
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五氧化二钽Ta2O5 |
25-50 |
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钛酸钡锶BST |
100-800 |
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钛酸锶STO |
230+ |
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钛酸铅PZT |
400-1500 |
介质层如何制作？
一般是运用PVD，CVD的方法，但是有些介质层可以用旋涂的方法来来制作。
